STF26NM60N


stf26nm60n.pdf
Код товару: 133690
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STF26NM60N за ціною від 224.33 грн до 603.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STF26NM60N STF26NM60N STMicroelectronics en.dm00354021.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+224.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF26NM60N STF26NM60N STMicroelectronics en.dm00354021.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+306.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF26NM60N STF26NM60N STMicroelectronics en.dm00354021.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
786+309.34 грн
Мінімальне замовлення: 786 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF26NM60N STF26NM60N STMicroelectronics stf26nm60n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+466.80 грн
10+294.55 грн
15+285.34 грн
50+261.91 грн
100+246.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF26NM60N STF26NM60N STMicroelectronics stf26nm60n.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+603.76 грн
50+316.41 грн
100+290.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF26NM60N STF26NM60N STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002807694-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STF26NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.135 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF26NM60N STF26NM60N STMicroelectronics stf26nm60n.pdf MOSFETs N-channel 600 V 20 A Mdmesh
на замовлення 1809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF26NM60N STF26NM60N STMicroelectronics en.dm00354021.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 786 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF26NM60N en.dm00354021.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+224.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF26NM60N en.dm00354021.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+306.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF26NM60N en.dm00354021.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
786+309.34 грн
Мінімальне замовлення: 786 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF26NM60N stf26nm60n.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+466.80 грн
10+294.55 грн
15+285.34 грн
50+261.91 грн
100+246.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF26NM60N stf26nm60n.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+603.76 грн
50+316.41 грн
100+290.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF26NM60N SGST-S-A0002807694-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF26NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.135 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF26NM60N stf26nm60n.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V 20 A Mdmesh
на замовлення 1809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF26NM60N en.dm00354021.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 786 шт
В кошику  од. на суму  грн.