STF27N60M2-EP STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 213.30 грн |
| 10+ | 194.39 грн |
| 25+ | 178.90 грн |
| 50+ | 170.73 грн |
| 100+ | 147.99 грн |
| 250+ | 137.14 грн |
| 500+ | 111.33 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF27N60M2-EP STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF27N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STF27N60M2-EP за ціною від 89.34 грн до 287.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STF27N60M2-EP | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STF27N60M2-EP | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP |
на замовлення 843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STF27N60M2-EP | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa |
на замовлення 211 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STF27N60M2-EP | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF27N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STF27N60M2-EP |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 69+ | 213.30 грн |
| 76+ | 194.39 грн |
| 82+ | 178.90 грн |
| 83+ | 170.73 грн |
| 100+ | 147.99 грн |
| 250+ | 137.14 грн |
| 500+ | 111.33 грн |
| STF27N60M2-EP |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 267.63 грн |
| 10+ | 168.51 грн |
| 50+ | 130.05 грн |
| 100+ | 110.40 грн |
| 500+ | 90.01 грн |
| STF27N60M2-EP |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa
MOSFETs N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa
на замовлення 211 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 287.28 грн |
| 10+ | 143.32 грн |
| 100+ | 112.61 грн |
| 500+ | 91.59 грн |
| 1000+ | 90.84 грн |
| 5000+ | 89.34 грн |
| STF27N60M2-EP |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF27N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STF27N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)