
STF28N60M2 STMicroelectronics
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 219.58 грн |
10+ | 209.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF28N60M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF28N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.135 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції STF28N60M2 за ціною від 93.94 грн до 260.29 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STF28N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V |
на замовлення 122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STF28N60M2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STF28N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STF28N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
![]() |
STF28N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
STF28N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |