STF28N65M2

STF28N65M2 STMicroelectronics


en.DM00150353.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
на замовлення 956 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.10 грн
50+131.75 грн
100+125.19 грн
500+96.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STF28N65M2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STF28N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STF28N65M2 за ціною від 99.47 грн до 308.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STF28N65M2 STF28N65M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00150353.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 80A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.83 грн
6+153.88 грн
17+145.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF28N65M2 STF28N65M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00150353.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ 20 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+281.47 грн
10+269.77 грн
25+136.59 грн
100+130.65 грн
500+106.16 грн
1000+99.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF28N65M2 STF28N65M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00150353.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 80A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+293.80 грн
6+191.76 грн
17+174.45 грн
500+168.88 грн
1000+167.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF28N65M2 STF28N65M2 Виробник : STMICROELECTRONICS en.DM00150353.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STF28N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+308.95 грн
10+307.29 грн
100+146.57 грн
500+135.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF28N65M2 STF28N65M2 Виробник : STMicroelectronics 715621793234930dm00150353.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF28N65M2 STF28N65M2 Виробник : STMicroelectronics 715621793234930dm00150353.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF28N65M2 Виробник : STMicroelectronics 715621793234930dm00150353.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.