STF28NM50N


en.CD00271786.pdf
Код товару: 84344
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STF28NM50N за ціною від 204.35 грн до 540.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STF28NM50N STF28NM50N STMicroelectronics stf28nm50n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 550V; 13A; Idm: 84A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 13A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 158mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
Pulsed drain current: 84A
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+481.27 грн
10+271.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF28NM50N STF28NM50N STMicroelectronics en.CD00271786.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 21A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 25 V
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+540.89 грн
50+281.28 грн
100+258.18 грн
500+204.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF28NM50N STF28NM50N STMicroelectronics en.CD00271786.pdf MOSFETs N-Ch 500V 0.135 Ohm MDmesh II Power MO
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF28NM50N stf28nm50n.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 550V; 13A; Idm: 84A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 13A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 158mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
Pulsed drain current: 84A
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+481.27 грн
10+271.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF28NM50N en.CD00271786.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 21A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 25 V
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+540.89 грн
50+281.28 грн
100+258.18 грн
500+204.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF28NM50N en.CD00271786.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 500V 0.135 Ohm MDmesh II Power MO
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.