
STF28NM50N STMicroelectronics

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 550V; 13A; Idm: 84A; 35W
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 13A
On-state resistance: 158mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
Technology: MDmesh™ ||
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 84A
Mounting: THT
Case: TO220FP
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 293.92 грн |
7+ | 148.31 грн |
17+ | 139.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF28NM50N STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF28NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 21 A, 0.135 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STF28NM50N за ціною від 167.88 грн до 497.77 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STF28NM50N | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STF28NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 860 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STF28NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 550V; 13A; Idm: 84A; 35W Drain-source voltage: 550V Drain current: 13A On-state resistance: 158mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 50nC Technology: MDmesh™ || Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 84A Mounting: THT Case: TO220FP кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STF28NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 25 V |
на замовлення 785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STF28NM50N Код товару: 84344
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||
![]() |
STF28NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
STF28NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
STF28NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |