STF28NM60ND

STF28NM60ND STMicroelectronics


sgst_s_a0000093292_1-2282581.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET Nchanl 600V 0120 Ohm typ 24 A Pwr MOSFET
на замовлення 836 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+614.51 грн
10+519.20 грн
25+409.67 грн
100+376.23 грн
250+354.63 грн
500+331.64 грн
1000+298.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STF28NM60ND STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO220FP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: TO-220FP, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.

Інші пропозиції STF28NM60ND

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STF28NM60ND STF28NM60ND Виробник : STMicroelectronics ST%28B%2CF%2CP%2CW%2928NM60ND_DS.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.