
STF34NM60ND STMicroelectronics

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 116A
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 401.09 грн |
3+ | 335.65 грн |
4+ | 270.52 грн |
10+ | 255.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF34NM60ND STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2785 pF @ 50 V.
Інші пропозиції STF34NM60ND за ціною від 307.15 грн до 606.37 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STF34NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF34NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 116A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF34NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF34NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
STF34NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
STF34NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
STF34NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2785 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
STF34NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |