STF35N65DM2

STF35N65DM2 STMICROELECTRONICS


stf35n65dm2.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF35N65DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.093 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+304.53 грн
10+254.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STF35N65DM2 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STF35N65DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.093 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STF35N65DM2 за ціною від 252.96 грн до 573.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STF35N65DM2 STF35N65DM2 Виробник : STMicroelectronics stf35n65dm2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 40W
Gate charge: 56.3nC
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 20A
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+477.84 грн
3+305.77 грн
9+288.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF35N65DM2 STF35N65DM2 Виробник : STMicroelectronics stf35n65dm2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 40W
Gate charge: 56.3nC
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+573.41 грн
3+381.03 грн
9+346.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF35N65DM2 Виробник : STMicroelectronics stf35n65dm2-1850743.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.093 Ohm typ 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.65 грн
1000+252.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF35N65DM2 STF35N65DM2 Виробник : STMicroelectronics stf35n65dm2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF35N65DM2 Виробник : STMicroelectronics stf35n65dm2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF35N65DM2 STF35N65DM2 Виробник : STMicroelectronics stf35n65dm2.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.