
STF35N65DM2 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STF35N65DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.093 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 303.80 грн |
10+ | 253.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF35N65DM2 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF35N65DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.093 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STF35N65DM2 за ціною від 252.35 грн до 572.03 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STF35N65DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO220FP On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 40W Gate charge: 56.3nC Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 90A Drain current: 20A |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
STF35N65DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO220FP On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 40W Gate charge: 56.3nC Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 90A Drain current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 62 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
STF35N65DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 678 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||
![]() |
STF35N65DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
STF35N65DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||
![]() |
STF35N65DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |