Продукція > STMICROELECTRONICS > STF35N65DM2

STF35N65DM2 STMicroelectronics

Name: STF35N65DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 21906-8
Price: 483.02 UAH
Availability: InStock

Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 40W
Gate charge: 56.3nC
Drain current: 20A

на замовлення 51 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	483.02 грн
3+	403.33 грн
10+	356.47 грн
50+	320.49 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис STF35N65DM2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STF35N65DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.093 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STF35N65DM2

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	STF35N65DM2	STMICROELECTRONICS	Description: STMICROELECTRONICS - STF35N65DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.093 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)	на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	STF35N65DM2	STMicroelectronics	MOSFETs N-channel 650 V, 0.093 Ohm typ 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET	на замовлення 678 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

STF35N65DM2

Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF35N65DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.093 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

STF35N65DM2

Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.093 Ohm typ 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET

на замовлення 678 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.