STF36N60M6

STF36N60M6 STMicroelectronics


stf36n60m6.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 100 V
на замовлення 1431 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+500.26 грн
10+325.58 грн
100+236.95 грн
500+186.92 грн
1000+175.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STF36N60M6 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STF36N60M6 за ціною від 195.85 грн до 525.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STF36N60M6 STF36N60M6 Виробник : STMicroelectronics stf36n60m6.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP package
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+525.29 грн
10+350.27 грн
100+221.64 грн
500+195.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF36N60M6 STF36N60M6 Виробник : STMicroelectronics stf36n60m6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 102A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.