Продукція > STMICROELECTRONICS > STF3LN80K5
STF3LN80K5

STF3LN80K5 STMicroelectronics

dm00175.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+60.56 грн
2000+56.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STF3LN80K5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STF3LN80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.75 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STF3LN80K5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність _PRICE_WITHOUT_VAT
STF3LN80K5 STF3LN80K5 STMicroelectronics dm00175.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+60.76 грн
2000+56.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3LN80K5 STF3LN80K5 STMicroelectronics en.DM00175100.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 102 pF @ 100 V
на замовлення 1506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.24 грн
50+64.29 грн
100+57.59 грн
500+43.01 грн
1000+39.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3LN80K5 STF3LN80K5 STMicroelectronics en.DM00175100.pdf MOSFETs N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
на замовлення 3203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.94 грн
10+88.92 грн
100+53.64 грн
500+45.42 грн
1000+37.97 грн
2000+34.59 грн
5000+33.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3LN80K5 STF3LN80K5 STMICROELECTRONICS en.DM00175100.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STF3LN80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.75 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.05 грн
11+78.53 грн
100+69.51 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3LN80K5 dm00175.pdf
STF3LN80K5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+60.76 грн
2000+56.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3LN80K5 en.DM00175100.pdf
STF3LN80K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 102 pF @ 100 V
на замовлення 1506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+138.24 грн
50+64.29 грн
100+57.59 грн
500+43.01 грн
1000+39.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3LN80K5 en.DM00175100.pdf
STF3LN80K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
на замовлення 3203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+140.94 грн
10+88.92 грн
100+53.64 грн
500+45.42 грн
1000+37.97 грн
2000+34.59 грн
5000+33.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3LN80K5 en.DM00175100.pdf
STF3LN80K5
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF3LN80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.75 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+157.05 грн
11+78.53 грн
100+69.51 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.