STF3N62K3 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 620V 2.7A TO220FP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 116.83 грн |
| 50+ | 52.13 грн |
| 100+ | 48.58 грн |
| 500+ | 35.84 грн |
| 1000+ | 32.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF3N62K3 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 620V 2.7A TO220FP, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220FP, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Power Dissipation (Max): 20W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.
Інші пропозиції STF3N62K3 за ціною від 25.72 грн до 118.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STF3N62K3 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STF3N62K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 2.7A; Idm: 10.8A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 620V Drain current: 2.7A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 10.8A Gate charge: 13nC |
на замовлення 221 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| STF3N62K3 | Виробник : STMicroelectronics |
|
на замовлення 885 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
