Продукція > STMICROELECTRONICS > STF3N62K3
STF3N62K3

STF3N62K3 STMicroelectronics

en.CD00204091.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 620V 2.7A TO220FP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+115.72 грн
50+51.63 грн
100+48.12 грн
500+35.50 грн
1000+32.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STF3N62K3 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 620V 2.7A TO220FP, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220FP, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Power Dissipation (Max): 20W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.

Інші пропозиції STF3N62K3 за ціною від 25.75 грн до 117.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STF3N62K3 STF3N62K3 STMicroelectronics en.CD00204091.pdf MOSFETs N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.59 грн
10+55.10 грн
100+42.66 грн
500+33.62 грн
1000+30.03 грн
2000+27.13 грн
5000+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3N62K3 STMicroelectronics en.CD00204091.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 2.7A; Idm: 10.8A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10.8A
Gate charge: 13nC
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+102.02 грн
10+60.33 грн
50+45.37 грн
100+40.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3N62K3 STMicroelectronics en.CD00204091.pdf
на замовлення 885 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF3N62K3 en.CD00204091.pdf
STF3N62K3
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+117.59 грн
10+55.10 грн
100+42.66 грн
500+33.62 грн
1000+30.03 грн
2000+27.13 грн
5000+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3N62K3 en.CD00204091.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 2.7A; Idm: 10.8A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10.8A
Gate charge: 13nC
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+102.02 грн
10+60.33 грн
50+45.37 грн
100+40.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3N62K3 en.CD00204091.pdf
Виробник: STMicroelectronics
на замовлення 885 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.