Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STF3NK80Z

STF3NK80Z

en.CD00003377.pdf
Код товару: 81902
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STF3NK80Z за ціною від 39.31 грн до 195.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STF3NK80Z STF3NK80Z STMicroelectronics 1846634588064042cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+127.80 грн
50+126.53 грн
100+118.49 грн
500+92.42 грн
1000+76.98 грн
2000+69.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80Z STF3NK80Z STMicroelectronics 1846634588064042cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+128.14 грн
112+126.87 грн
120+118.81 грн
500+92.67 грн
1000+77.19 грн
2000+69.79 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80Z STF3NK80Z STMicroelectronics en.CD00003377.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
на замовлення 2387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.28 грн
50+93.07 грн
100+83.88 грн
500+63.61 грн
1000+58.76 грн
2000+54.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80Z STF3NK80Z STMICROELECTRONICS SGST-S-A0003061510-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STF3NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 4.5 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80Z STF3NK80Z STMicroelectronics en.CD00003377.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 2.5Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80Z ST en.CD00003377.pdf N-MOSFET 800V 2.5A 25W STF3NK80Z TSTF3nk80z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+39.31 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80Z 1846634588064042cd000.pdf
STF3NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+127.80 грн
50+126.53 грн
100+118.49 грн
500+92.42 грн
1000+76.98 грн
2000+69.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80Z 1846634588064042cd000.pdf
STF3NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
111+128.14 грн
112+126.87 грн
120+118.81 грн
500+92.67 грн
1000+77.19 грн
2000+69.79 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80Z en.CD00003377.pdf
STF3NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
на замовлення 2387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+195.28 грн
50+93.07 грн
100+83.88 грн
500+63.61 грн
1000+58.76 грн
2000+54.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80Z SGST-S-A0003061510-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STF3NK80Z
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF3NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 4.5 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80Z en.CD00003377.pdf
STF3NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800 Volt 2.5Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80Z en.CD00003377.pdf
Виробник: ST
N-MOSFET 800V 2.5A 25W STF3NK80Z TSTF3nk80z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+39.31 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.