STF40N60M2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 1089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 393.59 грн |
50+ | 300.4 грн |
100+ | 257.48 грн |
500+ | 214.79 грн |
1000+ | 183.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF40N60M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF40N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.078 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm.
Інші пропозиції STF40N60M2 за ціною від 186.26 грн до 513.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STF40N60M2 | Виробник : STMicroelectronics | MOSFET Nchanl 600 V 78 Ohm typ 34 A Pwr MOSFET |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STF40N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Pulsed drain current: 136A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 88mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STF40N60M2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF40N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.078 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm |
на замовлення 2131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STF40N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Pulsed drain current: 136A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 88mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 42 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STF40N60M2 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STF40N60M2 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STF40N60M2 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |