STF40N65M2 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF40N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.087 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 310.62 грн |
| 10+ | 227.68 грн |
| 100+ | 199.22 грн |
| 500+ | 160.07 грн |
| 1000+ | 147.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF40N65M2 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF40N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.087 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STF40N65M2 за ціною від 152.64 грн до 385.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STF40N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package |
на замовлення 1081 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STF40N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO220FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
STF40N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; Idm: 128A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 25W Case: TO220FP Mounting: THT Gate charge: 56.5nC Kind of package: tube Pulsed drain current: 128A Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar On-state resistance: 99mΩ Drain current: 32A Gate-source voltage: ±25V |
товару немає в наявності |