STF40N65M2

STF40N65M2 STMicroelectronics


en.DM00158277.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
на замовлення 1115 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.54 грн
10+196.26 грн
100+163.80 грн
500+161.51 грн
1000+160.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STF40N65M2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STF40N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.087 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STF40N65M2 за ціною від 153.10 грн до 448.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STF40N65M2 STF40N65M2 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0000954099-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STF40N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.087 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+448.69 грн
10+313.66 грн
100+253.83 грн
500+190.47 грн
1000+153.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N65M2 STF40N65M2 Виробник : STMicroelectronics 720585012014019dm00158277.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N65M2 STF40N65M2 Виробник : STMicroelectronics 720585012014019dm00158277.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N65M2 Виробник : STMicroelectronics 720585012014019dm00158277.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N65M2 STF40N65M2 Виробник : STMicroelectronics 720585012014019dm00158277.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N65M2 STF40N65M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00158277.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N65M2 STF40N65M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00158277.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; Idm: 128A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 56.5nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 128A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 99mΩ
Drain current: 32A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.