STF42N60M2-EP STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 100 V
на замовлення 3313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 505.71 грн |
| 50+ | 261.46 грн |
| 100+ | 239.78 грн |
| 500+ | 189.40 грн |
| 1000+ | 189.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF42N60M2-EP STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF42N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.076 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STF42N60M2-EP за ціною від 243.46 грн до 523.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STF42N60M2-EP | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF42N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.076 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STF42N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
STF42N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STF42N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
STF42N60M2-EP THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
STF42N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET |
товару немає в наявності |