STF42N60M2-EP

STF42N60M2-EP STMICROELECTRONICS


STF%28W%2942N60M2-EP.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF42N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.076 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 836 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+437.40 грн
5+382.93 грн
10+316.91 грн
50+278.18 грн
100+241.93 грн
250+226.36 грн
500+211.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STF42N60M2-EP STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STF42N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.076 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STF42N60M2-EP за ціною від 189.71 грн до 506.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STF42N60M2-EP STF42N60M2-EP Виробник : STMicroelectronics STF%28W%2942N60M2-EP.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 100 V
на замовлення 3313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+506.93 грн
50+262.09 грн
100+240.36 грн
500+189.86 грн
1000+189.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF42N60M2-EP Виробник : STMicroelectronics 824914538834624dm00156720.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF42N60M2-EP STF42N60M2-EP Виробник : STMicroelectronics 824914538834624dm00156720.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF42N60M2-EP Виробник : STMicroelectronics STF%28W%2942N60M2-EP.pdf STF42N60M2-EP THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF42N60M2-EP STF42N60M2-EP Виробник : STMicroelectronics stf42n60m2_ep-1850544.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.