Продукція > STMICROELECTRONICS > STF4N90K5
STF4N90K5

STF4N90K5 STMicroelectronics

en.DM00340030.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 20W
Gate charge: 5.3nC
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+163.47 грн
10+91.41 грн
25+80.51 грн
50+77.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STF4N90K5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STF4N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4 A, 1.9 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 20W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm.

Інші пропозиції STF4N90K5 за ціною від 58.81 грн до 184.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STF4N90K5 STF4N90K5 STMicroelectronics en.DM00340030.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 4A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 173 pF @ 100 V
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.20 грн
10+114.20 грн
50+86.89 грн
100+73.30 грн
500+58.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF4N90K5 STF4N90K5 STMicroelectronics en.DM00340030.pdf MOSFETs N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
на замовлення 1191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF4N90K5 STF4N90K5 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002807771-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STF4N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4 A, 1.9 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF4N90K5 en.DM00340030.pdf
STF4N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 4A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 173 pF @ 100 V
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+184.20 грн
10+114.20 грн
50+86.89 грн
100+73.30 грн
500+58.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF4N90K5 en.DM00340030.pdf
STF4N90K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
на замовлення 1191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF4N90K5 SGST-S-A0002807771-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STF4N90K5
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF4N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4 A, 1.9 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.