STF5N60M2 STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 253+ | 55.78 грн |
| 281+ | 50.26 грн |
| 292+ | 48.34 грн |
| 500+ | 44.53 грн |
| 1000+ | 39.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF5N60M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF5N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STF5N60M2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STF5N60M2 | STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STF5N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.3 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
STF5N60M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 600V 1.26Ohm typ. 3.7A MDmesh M2 |
на замовлення 2401 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STF5N60M2 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF5N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STF5N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STF5N60M2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 1.26Ohm typ. 3.7A MDmesh M2
MOSFETs N-CH 600V 1.26Ohm typ. 3.7A MDmesh M2
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)