
STF5N60M2 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STF5N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 116.08 грн |
12+ | 69.82 грн |
100+ | 63.31 грн |
500+ | 43.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF5N60M2 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF5N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STF5N60M2 за ціною від 40.36 грн до 120.73 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STF5N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2427 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF5N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
STF5N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
STF5N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.5A; Idm: 14A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
STF5N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
STF5N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.5A; Idm: 14A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |