STF5N62K3

STF5N62K3 STMicroelectronics


en.CD00269934.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 620V 1.28V Ohm 4.2A SuperMESH 3
на замовлення 917 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.66 грн
10+147.43 грн
100+94.75 грн
500+79.43 грн
1000+64.10 грн
2000+63.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STF5N62K3 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 620V 4.2A TO220FP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220FP, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.1A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.

Інші пропозиції STF5N62K3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STF5N62K3 Виробник : STMicroelectronics en.CD00269934.pdf
на замовлення 920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF5N62K3 STF5N62K3 Виробник : STMicroelectronics en.CD00269934.pdf Description: MOSFET N-CH 620V 4.2A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.