STF6N60M2
Код товару: 155644
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: ST
Корпус: TO-220FP
Напруга сток-витік Uds, В: 650 В
Струм стоку Idd, А: 4,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,2 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 232/8
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції STF6N60M2 за ціною від 40.25 грн до 142.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STF6N60M2 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STF6N60M2 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STF6N60M2 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STF6N60M2 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STF6N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 20W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.9A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STF6N60M2 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220FPPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 232 pF @ 100 V |
на замовлення 1642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STF6N60M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2 |
на замовлення 1709 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
STF6N60M2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF6N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 1.06 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.06ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STF6N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 55.88 грн |
| 2000+ | 54.60 грн |
| STF6N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 56.06 грн |
| 2000+ | 54.77 грн |
| STF6N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 85.49 грн |
| 50+ | 84.65 грн |
| 100+ | 80.28 грн |
| 500+ | 61.16 грн |
| STF6N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 165+ | 85.49 грн |
| 166+ | 84.65 грн |
| 176+ | 80.28 грн |
| 500+ | 61.16 грн |
| STF6N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 133.04 грн |
| STF6N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 232 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 232 pF @ 100 V
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 142.40 грн |
| 50+ | 65.91 грн |
| 100+ | 58.96 грн |
| 500+ | 43.92 грн |
| 1000+ | 40.25 грн |
| STF6N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
MOSFETs N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STF6N60M2 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF6N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 1.06 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: STMICROELECTRONICS - STF6N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 1.06 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| JVR-14N471K-Bochen(варистор) Код товару: 123750
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Bochen
Пасивні компоненти > Варистори
Uроб AC/DC, В: 300/385 В
Uвар, В: 470(423...517) В
Макс. напруга і струм спрацьовування, В@A: 775@5 B@A
Iмакс.(8/20мкс): 4500 А
Потужність, Вт: 0,6 Вт
Ємність, пФ: 390 пФ
Розмір: 14D
УКТЗЕД: 14D
Пасивні компоненти > Варистори
Uроб AC/DC, В: 300/385 В
Uвар, В: 470(423...517) В
Макс. напруга і струм спрацьовування, В@A: 775@5 B@A
Iмакс.(8/20мкс): 4500 А
Потужність, Вт: 0,6 Вт
Ємність, пФ: 390 пФ
Розмір: 14D
УКТЗЕД: 14D
у наявності: 297 шт
- 257 шт - склад
- 20 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 20 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 7.00 грн |
| 10+ | 6.30 грн |
| 100+ | 5.60 грн |
| 1nF 10kV Z5U M(+/-20%) D<=9mm (KE4A102M-L018BD9-Hitano) Код товару: 2547
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Високовольтні керамічні конденсатори
Ємність: 1 нФ
Номін. напруга: 10 кВ
ТКЄ (код діелектрика): Z5U
Точність: ±20% M
Габарити: D<=9 мм
Part Number: KE4A102M-L018B
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
Керамічні конденсатори вивідні > Високовольтні керамічні конденсатори
Ємність: 1 нФ
Номін. напруга: 10 кВ
ТКЄ (код діелектрика): Z5U
Точність: ±20% M
Габарити: D<=9 мм
Part Number: KE4A102M-L018B
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 681 шт
- 488 шт - склад
- 64 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 53 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 66 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 16.00 грн |
| 10+ | 14.50 грн |
| 100+ | 13.90 грн |
| 1000+ | 12.40 грн |
| 74HC14D Код товару: 2467
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Мікросхеми > Логіка
Корпус: SO-14
Опис: Тригер Шмідта інвертуючий x6
Монтаж: SMD (поверхневий монтаж)
Аналог RUS: ТЛ2
Живлення, В: -0,5...7 В
Температура, °С: -40...+85°С
Тип логіч. елемента: Тригер Шмітта
Мікросхеми > Логіка
Корпус: SO-14
Опис: Тригер Шмідта інвертуючий x6
Монтаж: SMD (поверхневий монтаж)
Аналог RUS: ТЛ2
Живлення, В: -0,5...7 В
Температура, °С: -40...+85°С
Тип логіч. елемента: Тригер Шмітта
у наявності: 1004 шт
- 904 шт - склад
- 43 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 19 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 9 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 29 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 15.00 грн |
| 10+ | 13.50 грн |
| 100+ | 11.90 грн |
| UC3843BD1 (SO-8) Код товару: 14241
5
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-8
Призначення і характеристики: ШІМ-контролери
Напруга вхідна, В: 30 В
Iвих., А: 1 А
Частота Fosc, кГц: 250 кГц
Темп. діапазон: -65…+150°С
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-8
Призначення і характеристики: ШІМ-контролери
Напруга вхідна, В: 30 В
Iвих., А: 1 А
Частота Fosc, кГц: 250 кГц
Темп. діапазон: -65…+150°С
у наявності: 157 шт
- 106 шт - склад
- 17 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 19 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 22.00 грн |
| 10+ | 19.80 грн |
| 100+ | 17.90 грн |










