STF6N65K3 STMicroelectronics
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF6N65K3 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF6N65K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.4 A, 1.1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperMESH3 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STF6N65K3 за ціною від 54.80 грн до 203.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STF6N65K3 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 650V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 2830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STF6N65K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 2830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STF6N65K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STF6N65K3 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3 |
на замовлення 816 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STF6N65K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STF6N65K3 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF6N65K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.4 A, 1.1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperMESH3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STF6N65K3 Код товару: 198720
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
| STF6N65K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
STF6N65K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STF6N65K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.4A; Idm: 21.6A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5.4A Pulsed drain current: 21.6A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 33nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
STF6N65K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 5.4A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STF6N65K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.4A; Idm: 21.6A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5.4A Pulsed drain current: 21.6A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 33nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |