STF6N65M2

STF6N65M2 STMicroelectronics


stf6n65m2-1379793.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ 4 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 1596 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.83 грн
10+60.43 грн
100+49.35 грн
500+40.56 грн
1000+40.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STF6N65M2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 20W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 226 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STF6N65M2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STF6N65M2 STF6N65M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00128198.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 226 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N65M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00128198.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.