STF6N65M2

STF6N65M2 STMicroelectronics


stf6n65m2-1379793.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ 4 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 1596 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.43 грн
10+63.79 грн
100+52.09 грн
500+42.82 грн
1000+42.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STF6N65M2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STF6N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STF6N65M2 за ціною від 42.37 грн до 128.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STF6N65M2 STF6N65M2 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0000178191-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STF6N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.74 грн
12+72.46 грн
100+65.45 грн
500+53.72 грн
1000+42.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N65M2 STF6N65M2 Виробник : STMicroelectronics 14065069298796636.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N65M2 Виробник : STMicroelectronics 14065069298796636.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N65M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00128198.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N65M2 STF6N65M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00128198.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 226 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N65M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00128198.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.