STF6N65M2 STMicroelectronics
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 106.17 грн |
| 10+ | 63.64 грн |
| 100+ | 51.96 грн |
| 500+ | 42.71 грн |
| 1000+ | 42.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF6N65M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF6N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STF6N65M2 за ціною від 42.27 грн до 128.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STF6N65M2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STF6N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STF6N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STF6N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| STF6N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.35Ω Mounting: THT Gate charge: 9.8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
STF6N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 226 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STF6N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.35Ω Mounting: THT Gate charge: 9.8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |