STF6N80K5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 230.23 грн |
| 10+ | 143.69 грн |
| 50+ | 110.12 грн |
| 100+ | 93.19 грн |
| 500+ | 75.37 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF6N80K5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): 30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STF6N80K5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STF6N80K5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
STF6N80K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.5A; Idm: 18A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4.5A Power dissipation: 25W Case: TO220FP On-state resistance: 1.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 18A Gate charge: 13nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| STF6N80K5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
MOSFETs N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| STF6N80K5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.5A; Idm: 18A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 13nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.5A; Idm: 18A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 13nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.