Продукція > STMICROELECTRONICS > STF7N105K5
STF7N105K5

STF7N105K5 STMicroelectronics

en.DM00112886.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1050V 4A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 100 V
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+249.30 грн
50+121.92 грн
100+110.42 грн
500+84.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STF7N105K5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STF7N105K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.05 kV, 4 A, 1.4 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.05kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 25W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm.

Інші пропозиції STF7N105K5 за ціною від 85.60 грн до 308.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STF7N105K5 STF7N105K5 STMicroelectronics en.DM00112886.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.05kV; 4A; Idm: 16A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.05kV
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+258.62 грн
10+155.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N105K5 STF7N105K5 STMicroelectronics en.DM00112886.pdf MOSFETs N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
на замовлення 1469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+281.08 грн
10+134.17 грн
100+108.38 грн
500+91.12 грн
1000+85.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N105K5 STF7N105K5 STMICROELECTRONICS 2371890.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STF7N105K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.05 kV, 4 A, 1.4 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.05kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+308.47 грн
10+211.01 грн
100+145.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N105K5 en.DM00112886.pdf
STF7N105K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.05kV; 4A; Idm: 16A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.05kV
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+258.62 грн
10+155.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N105K5 en.DM00112886.pdf
STF7N105K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
на замовлення 1469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+281.08 грн
10+134.17 грн
100+108.38 грн
500+91.12 грн
1000+85.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N105K5 2371890.pdf
STF7N105K5
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF7N105K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.05 kV, 4 A, 1.4 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.05kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+308.47 грн
10+211.01 грн
100+145.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.