STF7N60DM2 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF7N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.78 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 114.44 грн |
| 19+ | 44.70 грн |
| 100+ | 44.62 грн |
| 500+ | 41.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF7N60DM2 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF7N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.78 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STF7N60DM2 за ціною від 45.66 грн до 119.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STF7N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.78 Ohm typ 6 A MDmesh DM2 Power MOSFET |
на замовлення 1640 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
STF7N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
| STF7N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Gate charge: 7.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||
 |
STF7N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||
| STF7N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Gate charge: 7.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |