
STF7N65M2 STMicroelectronics
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 178.10 грн |
10+ | 88.62 грн |
100+ | 71.85 грн |
500+ | 60.47 грн |
1000+ | 51.45 грн |
2000+ | 47.70 грн |
5000+ | 46.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF7N65M2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 20W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STF7N65M2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
STF7N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
STF7N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|
STF7N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||
STF7N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.15Ω Mounting: THT Gate charge: 9nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
![]() |
STF7N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|
STF7N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.15Ω Mounting: THT Gate charge: 9nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |