
STF7N80K5 STMicroelectronics
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 107.52 грн |
50+ | 100.05 грн |
100+ | 89.52 грн |
500+ | 72.98 грн |
1000+ | 63.00 грн |
2000+ | 57.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF7N80K5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 800V 6A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STF7N80K5 за ціною від 61.60 грн до 218.34 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STF7N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF7N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1624 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF7N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
STF7N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
STF7N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
STF7N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
STF7N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 13.4nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
STF7N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
STF7N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 13.4nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |