STF80N1K1K6 STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 167+ | 84.94 грн |
| 168+ | 84.09 грн |
| 177+ | 79.77 грн |
| 500+ | 67.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF80N1K1K6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF80N1K1K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 21W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm.
Інші пропозиції STF80N1K1K6 за ціною від 55.99 грн до 175.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STF80N1K1K6 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STF80N1K1K6 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
STF80N1K1K6 | STMicroelectronics |
Description: N-CHANNEL 800 V, 1.0 OHM TYP., 5 |
на замовлення 947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STF80N1K1K6 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF80N1K1K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.1 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 21W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm |
на замовлення 79 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
STF80N1K1K6 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET |
на замовлення 997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STF80N1K1K6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 85.39 грн |
| 50+ | 84.52 грн |
| 100+ | 80.17 грн |
| 500+ | 68.09 грн |
| STF80N1K1K6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 164.01 грн |
| 10+ | 95.39 грн |
| 50+ | 74.47 грн |
| 100+ | 69.45 грн |
| STF80N1K1K6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: N-CHANNEL 800 V, 1.0 OHM TYP., 5
Description: N-CHANNEL 800 V, 1.0 OHM TYP., 5
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 175.97 грн |
| 50+ | 82.96 грн |
| 100+ | 74.50 грн |
| 500+ | 55.99 грн |
| STF80N1K1K6 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF80N1K1K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 21W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STF80N1K1K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 21W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STF80N1K1K6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)







