Продукція > STMICROELECTRONICS > STF80N900K6
STF80N900K6

STF80N900K6 STMicroelectronics

en.dm01057370.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
122+115.72 грн
1000+90.82 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STF80N900K6 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STF80N900K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 21.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm.

Інші пропозиції STF80N900K6 за ціною від 91.29 грн до 127.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STF80N900K6 STF80N900K6 STMicroelectronics en.dm01057370.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.31 грн
1000+91.29 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N900K6 STF80N900K6 STMicroelectronics stf80n900k6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 21.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 21.5W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+127.06 грн
10+106.27 грн
50+97.90 грн
100+93.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N900K6 STF80N900K6 STMICROELECTRONICS 4552683.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STF80N900K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 21.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N900K6 en.dm01057370.pdf
STF80N900K6
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+116.31 грн
1000+91.29 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N900K6 stf80n900k6.pdf
STF80N900K6
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 21.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 21.5W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+127.06 грн
10+106.27 грн
50+97.90 грн
100+93.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N900K6 4552683.pdf
STF80N900K6
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF80N900K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 21.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.