Продукція > STMICROELECTRONICS > STF8N65M5
STF8N65M5

STF8N65M5 STMicroelectronics

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9BF6355426745&compId=STB8N65M5.pdf?ci_sign=1205b4d662bf41041e8c95e9e66fb43f072af979 Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 4.4A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.76 грн
3+173.54 грн
8+120.02 грн
21+113.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STF8N65M5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STF8N65M5 за ціною від 131.19 грн до 252.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STF8N65M5 STF8N65M5 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9BF6355426745&compId=STB8N65M5.pdf?ci_sign=1205b4d662bf41041e8c95e9e66fb43f072af979 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 4.4A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.92 грн
3+216.26 грн
8+144.03 грн
21+135.77 грн
500+133.94 грн
1000+131.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N65M5 STF8N65M5
Код товару: 116715
Додати до обраних Обраний товар

en.CD00253250.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N65M5 STF8N65M5 Виробник : STMicroelectronics std8n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N65M5 Виробник : STMicroelectronics std8n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N65M5 STF8N65M5 Виробник : STMicroelectronics en.CD00253250.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N65M5 STF8N65M5 Виробник : STMicroelectronics stb8n65m5-1850313.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.56 Ohm 7A MDmesh M5 PWR MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.