STF8N80K5 STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 107.21 грн |
| 50+ | 106.14 грн |
| 100+ | 101.94 грн |
| 500+ | 94.97 грн |
| 1000+ | 85.57 грн |
| 2000+ | 81.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF8N80K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF8N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.8 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STF8N80K5 за ціною від 78.75 грн до 237.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STF8N80K5 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 2650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STF8N80K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: THT Gate charge: 16.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 24A |
на замовлення 127 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STF8N80K5 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V |
на замовлення 587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STF8N80K5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 800V 0.76 Ohm 6AMDmesh K5 |
на замовлення 3777 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
STF8N80K5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF8N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.8 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STF8N80K5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 132+ | 107.21 грн |
| 133+ | 106.14 грн |
| 139+ | 101.94 грн |
| 500+ | 94.97 грн |
| 1000+ | 85.57 грн |
| 2000+ | 81.33 грн |
| STF8N80K5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 24A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 24A
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 209.36 грн |
| 10+ | 120.78 грн |
| 50+ | 108.37 грн |
| STF8N80K5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 237.37 грн |
| 50+ | 114.41 грн |
| 100+ | 103.33 грн |
| 500+ | 78.75 грн |
| STF8N80K5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800V 0.76 Ohm 6AMDmesh K5
MOSFETs N-Ch 800V 0.76 Ohm 6AMDmesh K5
на замовлення 3777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STF8N80K5 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF8N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.8 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: STMICROELECTRONICS - STF8N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.8 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)