Технічний опис STF8NK100Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF8NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 6.5 A, 1.6 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, Verlustleistung: 40W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm.
Інші пропозиції STF8NK100Z за ціною від 126.99 грн до 412.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STF8NK100Z | STMicroelectronics |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 4.3A; 40W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 4.3A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.85Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ |
на замовлення 43 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STF8NK100Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STF8NK100Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STF8NK100Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STF8NK100Z | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85Ohm @ 3.15A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V |
на замовлення 2469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STF8NK100Z | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF8NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 6.5 A, 1.6 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V Verlustleistung: 40W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm |
на замовлення 4341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
STF8NK100Z | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 1000 V 1.6 Ohm Zener SuperMESH 6.5A |
на замовлення 1458 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STF8NK100Z | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 1000V; 30V; 1,85Ohm; 6,5A; 40W; -55°C ~ 150°C; STF8NK100Z TSTF8NK100z кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| STF8NK100Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 4.3A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 4.3A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 219.16 грн |
| 5+ | 185.31 грн |
| 10+ | 178.69 грн |
| 25+ | 171.25 грн |
| STF8NK100Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 239.53 грн |
| 100+ | 225.42 грн |
| 500+ | 203.59 грн |
| STF8NK100Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 51+ | 277.46 грн |
| 100+ | 251.86 грн |
| 500+ | 214.36 грн |
| 1000+ | 191.61 грн |
| 2000+ | 176.23 грн |
| STF8NK100Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 281.71 грн |
| 50+ | 278.89 грн |
| 100+ | 253.15 грн |
| 500+ | 215.46 грн |
| 1000+ | 192.60 грн |
| 2000+ | 177.13 грн |
| STF8NK100Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85Ohm @ 3.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85Ohm @ 3.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 412.88 грн |
| 50+ | 208.95 грн |
| 100+ | 190.74 грн |
| 500+ | 149.07 грн |
| 1000+ | 139.46 грн |
| 2000+ | 133.45 грн |
| STF8NK100Z |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF8NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 6.5 A, 1.6 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STF8NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 6.5 A, 1.6 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 4341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STF8NK100Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 1000 V 1.6 Ohm Zener SuperMESH 6.5A
MOSFETs N-Ch 1000 V 1.6 Ohm Zener SuperMESH 6.5A
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STF8NK100Z |
|
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 1000V; 30V; 1,85Ohm; 6,5A; 40W; -55°C ~ 150°C; STF8NK100Z TSTF8NK100z
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 1000V; 30V; 1,85Ohm; 6,5A; 40W; -55°C ~ 150°C; STF8NK100Z TSTF8NK100z
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 126.99 грн |