STF8NM50N STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 790mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 50 V
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 190.20 грн |
| 50+ | 89.66 грн |
| 100+ | 80.59 грн |
| 500+ | 60.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF8NM50N STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF8NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 0.73 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STF8NM50N за ціною від 57.55 грн до 198.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STF8NM50N | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF8NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 0.73 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STF8NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| STF8NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| STF8NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
STF8NM50N THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
STF8NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II PWR MO |
товару немає в наявності |