STF9HN65M2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220FP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 84.68 грн |
| 10+ | 66.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF9HN65M2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220FP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220FP, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 20W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 2.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ).
Інші пропозиції STF9HN65M2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STF9HN65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
 MOSFET N-channel 650 V, 0.71 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package |
на замовлення 1955 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |