STF9N60M2

STF9N60M2 STMicroelectronics


en.DM00086741.pdf Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+92.52 грн
10+67.31 грн
50+55.49 грн
100+50.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STF9N60M2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STF9N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 0.72 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh II Plus, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STF9N60M2 за ціною від 33.52 грн до 120.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STF9N60M2 STF9N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00086741.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 100 V
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.50 грн
10+81.34 грн
100+57.50 грн
500+42.83 грн
1000+39.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF9N60M2 STF9N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00086741.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.03 грн
10+83.88 грн
50+66.59 грн
100+60.72 грн
250+53.25 грн
500+51.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF9N60M2 STF9N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00086741.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
на замовлення 1836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.18 грн
10+90.50 грн
100+55.39 грн
500+43.96 грн
1000+40.18 грн
2000+35.87 грн
5000+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF9N60M2 STF9N60M2 Виробник : STMICROELECTRONICS en.DM00086741.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STF9N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 0.72 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+120.54 грн
10+88.28 грн
100+62.65 грн
500+42.48 грн
1000+35.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
STF9N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00086741.pdf
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF9N60M2 STF9N60M2 Виробник : STMicroelectronics 695300745882335dm00086741.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF9N60M2 Виробник : STMicroelectronics 695300745882335dm00086741.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.