STFI10N62K3 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 620V 8.4A I2PAKFP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Packaging: Tube
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 160.68 грн |
| 50+ | 116.90 грн |
| 100+ | 111.29 грн |
| 500+ | 93.19 грн |
| 1000+ | 88.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STFI10N62K3 STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 620V 8.4A I2PAKFP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc), FET Type: N-Channel, Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK, Packaging: Tube, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole.
Інші пропозиції STFI10N62K3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STFI10N62K3 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 620 V 0.68 Ohm 8.4 A SuperMESH3 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |