
STFI15N95K5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 950V 7.5A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: I2PAKFP (TO-281)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855 pF @ 10 V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 251.48 грн |
10+ | 203.23 грн |
100+ | 170.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STFI15N95K5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 950V 7.5A I2PAKFP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I²Pak, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: I2PAKFP (TO-281), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855 pF @ 10 V.
Інші пропозиції STFI15N95K5
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
STFI15N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |