STFI260N6F6 STMicroelectronics
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STFI260N6F6 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: I2PAKFP (TO-281), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STFI260N6F6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STFI260N6F6 | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFPPackaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: I2PAKFP (TO-281) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |