STFI26N60M2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.14 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a I2PAKFP package
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 302.25 грн |
| 10+ | 292.02 грн |
| 25+ | 129.90 грн |
| 100+ | 115.22 грн |
| 250+ | 114.49 грн |
| 500+ | 107.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STFI26N60M2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 20A I2PAKFP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V.
Інші пропозиції STFI26N60M2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STFI26N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 20A I2PAKFP Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V |
товару немає в наявності |