STFU18N65M2

STFU18N65M2 STMicroelectronics


stfu18n65m2-1850707.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ 12 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.94 грн
10+131.14 грн
100+104.47 грн
250+103.73 грн
500+86.07 грн
1000+78.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STFU18N65M2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STFU18N65M2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STFU18N65M2 STFU18N65M2 Виробник : STMicroelectronics 1418256167071034dm001.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFU18N65M2 Виробник : STMicroelectronics 1418256167071034dm001.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFU18N65M2 STFU18N65M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00164802.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.