
STFU18N65M2 STMicroelectronics
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 223.57 грн |
10+ | 204.58 грн |
25+ | 108.41 грн |
100+ | 104.60 грн |
500+ | 86.27 грн |
1000+ | 79.40 грн |
2000+ | 73.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STFU18N65M2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STFU18N65M2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
STFU18N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|
STFU18N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
STFU18N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |