
STFU25N60M2-EP STMicroelectronics
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 239.46 грн |
10+ | 197.97 грн |
25+ | 162.59 грн |
100+ | 139.78 грн |
250+ | 131.69 грн |
500+ | 123.59 грн |
1000+ | 105.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STFU25N60M2-EP STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 188mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STFU25N60M2-EP
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
STFU25N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||
STFU25N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 188mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |