STFU28N65M2

STFU28N65M2 STMicroelectronics


stfu28n65m2-1850856.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra narr
на замовлення 1839 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.01 грн
25+131.02 грн
100+113.20 грн
1000+106.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STFU28N65M2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STFU28N65M2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STFU28N65M2 Виробник : STMicroelectronics 1426698682769783dm001.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFU28N65M2 Виробник : STMicroelectronics 1426698682769783dm001.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFU28N65M2 STFU28N65M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00167986.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.