
STFW38N65M5 STMicroelectronics
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
59+ | 207.95 грн |
74+ | 164.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STFW38N65M5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 30A ISOWATT, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PF, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STFW38N65M5 за ціною від 204.64 грн до 491.03 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STFW38N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 139 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STFW38N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
STFW38N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
STFW38N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 57W; TO3PF Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 57W Case: TO3PF Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 71nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
STFW38N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
STFW38N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
STFW38N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 57W; TO3PF Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 57W Case: TO3PF Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 71nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |