STFW3N170 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1700V 2.6A ISOWATT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 432.67 грн |
| 30+ | 196.82 грн |
| 120+ | 187.36 грн |
| 510+ | 174.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STFW3N170 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STFW3N170 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.7 kV, 2.6 A, 7 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: TO-3PF, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerMESH, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STFW3N170 за ціною від 182.02 грн до 459.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STFW3N170 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STFW3N170 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.7 kV, 2.6 A, 7 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerMESH productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STFW3N170 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package |
на замовлення 915 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STFW3N170 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.7KV 2.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
товару немає в наявності |