Технічний опис STFW4N150 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STFW4N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 4 A, 5 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 63W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-3PF, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm.
Інші пропозиції STFW4N150
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | _PRICE_WITHOUT_VAT | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STFW4N150 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STFW4N150 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
на замовлення 984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STFW4N150 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
на замовлення 984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STFW4N150 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 63W; TO3PF Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 2.5A Power dissipation: 63W Case: TO3PF Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 7Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 54 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STFW4N150 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1500V 4A ISOWATT Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STFW4N150 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 1500 V 4 A PowerMESH |
на замовлення 1361 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STFW4N150 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STFW4N150 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STFW4N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 4 A, 5 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 63W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm |
на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| STFW4N150 | STMicroelectronics |
N-канальний ПТ, Udss, В = 1 500, Id = 4 A, Ptot, Вт = 63, Тип монт. = вивідний, Qg, нКл = 30, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт кількість в упаковці: 30 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| STFW4N150 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 300+ | 206.58 грн |
| STFW4N150 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 414.82 грн |
| 46+ | 313.07 грн |
| 100+ | 261.94 грн |
| STFW4N150 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 415.87 грн |
| 10+ | 313.87 грн |
| 100+ | 262.60 грн |
| STFW4N150 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 63W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 63W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 63W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 63W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 462.66 грн |
| 3+ | 381.41 грн |
| 5+ | 353.16 грн |
| 10+ | 316.60 грн |
| STFW4N150 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1500V 4A ISOWATT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 1500V 4A ISOWATT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 480.74 грн |
| STFW4N150 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 1500 V 4 A PowerMESH
MOSFETs N-channel 1500 V 4 A PowerMESH
на замовлення 1361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 500.15 грн |
| 10+ | 338.20 грн |
| 100+ | 196.06 грн |
| 600+ | 195.37 грн |
| 1200+ | 187.77 грн |
| STFW4N150 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 586.12 грн |
| 40+ | 362.11 грн |
| 100+ | 262.15 грн |
| STFW4N150 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STFW4N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 4 A, 5 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 63W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STFW4N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 4 A, 5 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 63W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 654.79 грн |
| 5+ | 461.49 грн |
| 10+ | 415.59 грн |
| 50+ | 342.52 грн |
| 100+ | 289.94 грн |
| STFW4N150 |
|
Виробник: STMicroelectronics
N-канальний ПТ, Udss, В = 1 500, Id = 4 A, Ptot, Вт = 63, Тип монт. = вивідний, Qg, нКл = 30, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 30 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 1 500, Id = 4 A, Ptot, Вт = 63, Тип монт. = вивідний, Qg, нКл = 30, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 30 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 745.76 грн |
| 120+ | 639.22 грн |