на замовлення 2247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 449.02 грн |
| 10+ | 220.50 грн |
| 100+ | 175.70 грн |
| 600+ | 174.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STFW4N150 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STFW4N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 4 A, 5 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: TO-3PF, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STFW4N150 за ціною від 216.75 грн до 581.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STFW4N150 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STFW4N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 4 A, 5 ohm, TO-3PF, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STFW4N150 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1500V 4A ISOWATT Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STFW4N150 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STFW4N150 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STFW4N150 | Виробник : STMicroelectronics |
N-канальний ПТ; Udss, В = 1 500; Id = 4 A; Ptot, Вт = 63; Тип монт. = вивідний; Qg, нКл = 30; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В; TO-220AB |
на замовлення 2 шт: термін постачання 3 дні (днів) |