STFW8N120K5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-3PF package
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 556.41 грн |
| 10+ | 409.16 грн |
| 100+ | 263.60 грн |
| 600+ | 255.22 грн |
| 1200+ | 236.18 грн |
| 2700+ | 235.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STFW8N120K5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO3PF, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-3PF, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 505 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STFW8N120K5 за ціною від 293.63 грн до 351.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STFW8N120K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 6A; 48W; TO3PF Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 6A Power dissipation: 48W Case: TO3PF Gate-source voltage: 30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Gate charge: 13.7nC Kind of channel: enhancement Technology: MOSFET |
на замовлення 445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||
 |
STFW8N120K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
| STFW8N120K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
товару немає в наявності |
||||||||
 |
STFW8N120K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-3PF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 505 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |