
STGAP2SICS STMicroelectronics

Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 208.72 грн |
10+ | 141.71 грн |
25+ | 115.06 грн |
100+ | 110.61 грн |
800+ | 109.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGAP2SICS STMicroelectronics
Description: DIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SO, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Current - Peak Output: 4A, Technology: Capacitive Coupling, Current - Output High, Low: 4A, 4A, Voltage - Isolation: 5000Vrms, Approval Agency: UL, Supplier Device Package: 8-SO, Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns, Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns, Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns, Pulse Width Distortion (Max): 20ns, Part Status: Active, Number of Channels: 1, Voltage - Output Supply: 3V ~ 5.5V.
Інші пропозиції STGAP2SICS за ціною від 81.76 грн до 280.25 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STGAP2SICS | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 4A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 4A, 4A Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Pulse Width Distortion (Max): 20ns Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3V ~ 5.5V |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
STGAP2SICS | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STGAP2SICS | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STGAP2SICS | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STGAP2SICS | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STGAP2SICS | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STGAP2SICS | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STGAP2SICS | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STGAP2SICS | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
STGAP2SICS | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO8-W; 4A; Ch: 1; 1MHz; 3.1÷5.5V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: SiC MOSFET gate driver Case: SO8-W Output current: 4A Number of channels: 1 Integrated circuit features: galvanically isolated Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Supply voltage: 3.1...5.5V Frequency: 1MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
STGAP2SICS | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO8-W; 4A; Ch: 1; 1MHz; 3.1÷5.5V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: SiC MOSFET gate driver Case: SO8-W Output current: 4A Number of channels: 1 Integrated circuit features: galvanically isolated Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Supply voltage: 3.1...5.5V Frequency: 1MHz |
товару немає в наявності |