
STGAP2SICSANCTR STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSANCTR - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, SiCMOSFET, 8 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: -
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: SiCMOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: CMOS, TTL
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 90.21 грн |
250+ | 79.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGAP2SICSANCTR STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSANCTR - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, SiCMOSFET, 8 Pin(s), NSOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 4A, Treiberkonfiguration: -, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: SiCMOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q100, IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC, Eingang: CMOS, TTL, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 4A, Versorgungsspannung, min.: 3.1V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5.25V, Eingabeverzögerung: 45ns, Ausgabeverzögerung: 45ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STGAP2SICSANCTR за ціною від 71.85 грн до 166.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STGAP2SICSANCTR | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4A Treiberkonfiguration: - rohsCompliant: YES Leistungsschalter: SiCMOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: CMOS, TTL usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.25V Eingabeverzögerung: 45ns Ausgabeverzögerung: 45ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STGAP2SICSANCTR | Виробник : STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs |
на замовлення 132 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
STGAP2SICSANCTR | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
STGAP2SICSANCTR | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
STGAP2SICSANCTR | Виробник : STMicroelectronics | STGAP2SICSANCTR MOSFET/IGBT drivers |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
STGAP2SICSANCTR | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DGTL ISO 2.83KV 1CH GATE DVR 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 4A Technology: Capacitive Coupling Voltage - Isolation: 2830Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Pulse Width Distortion (Max): 20ns Grade: Automotive Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3.1V ~ 5.25V Qualification: AEC-Q100 |
товару немає в наявності |