
STGAP2SICSNC STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSNC - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, SiCMOSFET, 8 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: -
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: SiCMOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: CMOS, TTL
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 75ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 227.34 грн |
10+ | 147.40 грн |
50+ | 143.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGAP2SICSNC STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSNC - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, SiCMOSFET, 8 Pin(s), NSOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 4A, Treiberkonfiguration: -, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: SiCMOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC, Eingang: CMOS, TTL, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 4A, Versorgungsspannung, min.: 3.1V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Eingabeverzögerung: 75ns, Ausgabeverzögerung: 75ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STGAP2SICSNC
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
STGAP2SICSNC | Виробник : STMicroelectronics |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO8; -4÷4A; 1.7kV; Ch: 1 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: SiC MOSFET gate driver Case: SO8 Output current: -4...4A Output voltage: 1.7kV Number of channels: 1 Integrated circuit features: galvanically isolated Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 30ns Pulse fall time: 30ns Kind of package: tube Supply voltage: 3.1...5.5V Insulation voltage: 4.8kV кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
STGAP2SICSNC | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DIGITAL ISO 4KV 1CH GATE DVR 8SO Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Current - Peak Output: 4A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 4A, - Voltage - Isolation: 4000Vrms Approval Agency: UL, VDE Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Pulse Width Distortion (Max): 20ns Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3.1V ~ 5.5V |
товару немає в наявності |
||
![]() |
STGAP2SICSNC | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|
STGAP2SICSNC | Виробник : STMicroelectronics |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO8; -4÷4A; 1.7kV; Ch: 1 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: SiC MOSFET gate driver Case: SO8 Output current: -4...4A Output voltage: 1.7kV Number of channels: 1 Integrated circuit features: galvanically isolated Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 30ns Pulse fall time: 30ns Kind of package: tube Supply voltage: 3.1...5.5V Insulation voltage: 4.8kV |
товару немає в наявності |