STGAP2SICSNC

STGAP2SICSNC STMICROELECTRONICS


4319728.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSNC - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, SiC­MOSFET, 8 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: -
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: SiC­MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: CMOS, TTL
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 75ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 55 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+227.34 грн
10+147.40 грн
50+143.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGAP2SICSNC STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSNC - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, SiC­MOSFET, 8 Pin(s), NSOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 4A, Treiberkonfiguration: -, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: SiC­MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC, Eingang: CMOS, TTL, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 4A, Versorgungsspannung, min.: 3.1V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Eingabeverzögerung: 75ns, Ausgabeverzögerung: 75ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STGAP2SICSNC

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGAP2SICSNC Виробник : STMicroelectronics Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO8; -4÷4A; 1.7kV; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: SiC MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -4...4A
Output voltage: 1.7kV
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 30ns
Pulse fall time: 30ns
Kind of package: tube
Supply voltage: 3.1...5.5V
Insulation voltage: 4.8kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICSNC Виробник : STMicroelectronics Description: DIGITAL ISO 4KV 1CH GATE DVR 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Peak Output: 4A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 4A, -
Voltage - Isolation: 4000Vrms
Approval Agency: UL, VDE
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns
Pulse Width Distortion (Max): 20ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 3.1V ~ 5.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICSNC STGAP2SICSNC Виробник : STMicroelectronics stgap2sicsn-2539719.pdf Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICSNC Виробник : STMicroelectronics Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO8; -4÷4A; 1.7kV; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: SiC MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -4...4A
Output voltage: 1.7kV
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 30ns
Pulse fall time: 30ns
Kind of package: tube
Supply voltage: 3.1...5.5V
Insulation voltage: 4.8kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.