STGAP2SICSTR STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSTR - Gate-Treiber, 1 Kanal, Halbbrücke, SiC-MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: SiCMOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 16.4V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 26V
Eingabeverzögerung: 75ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 187.56 грн |
| 250+ | 185.46 грн |
| 500+ | 182.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGAP2SICSTR STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSTR - Gate-Treiber, 1 Kanal, Halbbrücke, SiC-MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend, tariffCode: 85423919, Sinkstrom: 4A, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: SiCMOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 4A, Versorgungsspannung, min.: 16.4V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: WSOIC, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 26V, Eingabeverzögerung: 75ns, Ausgabeverzögerung: 75ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STGAP2SICSTR за ціною від 182.68 грн до 593.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STGAP2SICSTR | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSTR - Gate-Treiber, 1 Kanal, Halbbrücke, SiC-MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend tariffCode: 85423919 Sinkstrom: 4A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: SiCMOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 16.4V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 26V Eingabeverzögerung: 75ns Ausgabeverzögerung: 75ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGAP2SICSTR | Виробник : STMicroelectronics |
Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO W T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGAP2SICSTR | Виробник : STMicroelectronics |
Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO W T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGAP2SICSTR | Виробник : STMicroelectronics |
Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO W T/R |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGAP2SICSTR | Виробник : STMicroelectronics |
Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO W T/R |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGAP2SICSTR | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 4A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 4A, 4A Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Pulse Width Distortion (Max): 20ns Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3V ~ 5.5V |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGAP2SICSTR | Виробник : STMicroelectronics |
Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs |
на замовлення 1755 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGAP2SICSTR | Виробник : STMicroelectronics |
Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO W T/R |
на замовлення 484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGAP2SICSTR | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 4A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 4A, 4A Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Pulse Width Distortion (Max): 20ns Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3V ~ 5.5V |
товару немає в наявності |