STGAP2SICSTR STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSTR - Gate-Treiber, 1 Kanal, Halbbrücke, SiC-MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: SiCMOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 16.4V
Bauform - Treiber: WSOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 26V
Eingabeverzögerung: 75ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 328.60 грн |
| 25+ | 300.41 грн |
| 50+ | 253.53 грн |
| 100+ | 209.86 грн |
| 250+ | 205.72 грн |
| 500+ | 201.58 грн |
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Технічний опис STGAP2SICSTR STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSTR - Gate-Treiber, 1 Kanal, Halbbrücke, SiC-MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend, tariffCode: 85423919, Sinkstrom: 4A, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: SiCMOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 4A, Versorgungsspannung, min.: 16.4V, Bauform - Treiber: WSOIC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 26V, Eingabeverzögerung: 75ns, Ausgabeverzögerung: 75ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C.
Інші пропозиції STGAP2SICSTR за ціною від 187.77 грн до 495.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
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STGAP2SICSTR | STMicroelectronics |
Description: DIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SOApproval Agency: UL Voltage - Isolation: 5000Vrms Current - Output High, Low: 4A, 4A Technology: Capacitive Coupling Current - Peak Output: 4A Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - Output Supply: 3V ~ 5.5V Number of Channels: 1 Pulse Width Distortion (Max): 20ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Supplier Device Package: 8-SO |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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STGAP2SICSTR | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSTR - Gate-Treiber, 1 Kanal, Halbbrücke, SiC-MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierendtariffCode: 85423919 Sinkstrom: 4A Treiberkonfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: SiCMOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 16.4V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 26V Eingabeverzögerung: 75ns Ausgabeverzögerung: 75ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 2388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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STGAP2SICSTR | STMicroelectronics |
Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs |
на замовлення 1755 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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| STGAP2SICSTR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SO
Approval Agency: UL
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 4A, 4A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Peak Output: 4A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Output Supply: 3V ~ 5.5V
Number of Channels: 1
Pulse Width Distortion (Max): 20ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Supplier Device Package: 8-SO
Description: DIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SO
Approval Agency: UL
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 4A, 4A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Peak Output: 4A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Output Supply: 3V ~ 5.5V
Number of Channels: 1
Pulse Width Distortion (Max): 20ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 467.53 грн |
| 10+ | 303.86 грн |
| 100+ | 226.11 грн |
| STGAP2SICSTR |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSTR - Gate-Treiber, 1 Kanal, Halbbrücke, SiC-MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: SiCMOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 16.4V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 26V
Eingabeverzögerung: 75ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSTR - Gate-Treiber, 1 Kanal, Halbbrücke, SiC-MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: SiCMOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 16.4V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 26V
Eingabeverzögerung: 75ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 486.46 грн |
| 10+ | 328.60 грн |
| 25+ | 300.41 грн |
| 50+ | 253.53 грн |
| 100+ | 209.86 грн |
| 250+ | 205.72 грн |
| 500+ | 201.58 грн |
| STGAP2SICSTR |
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Виробник: STMicroelectronics
Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs
Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 495.32 грн |
| 10+ | 366.78 грн |
| 25+ | 296.85 грн |
| 100+ | 260.95 грн |
| 250+ | 247.83 грн |
| 500+ | 222.29 грн |
| 1000+ | 187.77 грн |




