STGB10H60DF

STGB10H60DF STMicroelectronics


en.DM00092752.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 107 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19.5ns/103ns
Switching Energy: 83µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 115 W
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+47.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGB10H60DF STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO-263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 107 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 19.5ns/103ns, Switching Energy: 83µJ (on), 140µJ (off), Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 57 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Power - Max: 115 W.

Інші пропозиції STGB10H60DF за ціною від 54.22 грн до 171.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGB10H60DF STGB10H60DF Виробник : STMicroelectronics stgf10h60df.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+97.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10H60DF STGB10H60DF Виробник : STMicroelectronics en.DM00092752.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 107 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19.5ns/103ns
Switching Energy: 83µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 115 W
на замовлення 4497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.89 грн
10+106.21 грн
100+72.38 грн
500+54.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10H60DF Виробник : STMicroelectronics stgb10h60df-1850795.pdf IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speed
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.05 грн
10+118.44 грн
100+83.13 грн
250+82.40 грн
500+69.82 грн
1000+54.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10H60DF STGB10H60DF Виробник : STMicroelectronics stgf10h60df.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10H60DF STGB10H60DF Виробник : STMicroelectronics stgp10h60df.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 115000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10H60DF STGB10H60DF Виробник : STMicroelectronics stgf10h60df.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10H60DF Виробник : STMicroelectronics stgp10h60df.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 115mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10H60DF Виробник : STMicroelectronics en.DM00092752.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10H60DF Виробник : STMicroelectronics en.DM00092752.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.